简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N2904A
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： 2N2904A
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-39-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BJTs
- 库存地点： 内地
- 库存： 78
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-39-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：TO-39
- RoHS：N
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：PNP
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：60 V
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
- Maximum DC Collector Current：600 mA
- Pd - Power Dissipation：800 mW
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：600 mA
- Base Product Number：2N2904
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- 包装：Bulk
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：-
- 配置：Single
- 功率 - 最大：600 mW
- 晶体管类型：PNP
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 500mA, 10V
- 最大集极截止电流：1µA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.6V @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：60 V
相关产品
