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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STD11N60M6
- 价格 起订量
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- 型号： STD11N60M6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： DPAK-3
- 描述： MOSFET N-channel 600 V, 500 mOhm typ 8 A MDmesh M6 Power MOSFETComplete Your Design
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：DPAK-3
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：D-PAK (TO-252)
- RoHS：Details
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：600 V
- Id - Continuous Drain Current：8 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：520 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 25 V, + 25 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4.75 V
- Qg - Gate Charge：10.3 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：90 W
- Channel Mode：Enhancement
- Tradename：MDmesh
- Fall Time：9.8 ns
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Typical Turn-Off Delay Time：22 ns
- Typical Turn-On Delay Time：7.4 ns
- Unit Weight：0.012699 oz
- Continuous Drain Current Id：8
- Package：Bulk
- Base Product Number：STD11
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：STMicroelectronics
- Power Dissipation (Max)：90W (Tc)
- Product Status：活跃
- Qualification：-
- Number of Elements per Chip：1
- Package Type：DPAK (TO-252)
- 包装：切割胶带
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- 引脚数量：3
- 通道数量：1 Channel
- 功率耗散：90
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：520mOhm @ 4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：387 pF @ 100 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10.3 nC @ 10 V
- 上升时间：7.2 ns
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 信道型：N通道
- 场效应管特性：-
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