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单MOSFET晶体管 / SCTWA35N65G2VAG
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- 型号： SCTWA35N65G2VAG
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： HiP-247-3
- 描述： MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ TJ = 25Complete Your Design
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：HiP-247-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：TO-247 Long Leads
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：650 V
- Id - Continuous Drain Current：45 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：67 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 10 V, + 22 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：5 V
- Qg - Gate Charge：73 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Pd - Power Dissipation：240 W
- Channel Mode：Enhancement
- Qualification：AEC-Q100
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：600
- Package：Tube
- Base Product Number：SCTWA35
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：45A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：18V, 20V
- 厂商：STMicroelectronics
- Power Dissipation (Max)：208W (Tc)
- Product Status：活跃
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：-
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：72mOhm @ 20A, 20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1370 pF @ 400 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：73 nC @ 20 V
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：+20V, -5V
- 场效应管特性：-
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