图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / MC3541-TP

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: MC3541-TP
  • 厂商: Micro Commercial Components (MCC)
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: SOT-723-3
  • 描述: MOSFET N-Ch FET 30Vds 20Vgs 100mA 150mW 9pF
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 126688
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 包装/外壳:SOT-723-3
  • 安装类型:表面贴装
  • 表面安装:YES
  • 供应商器件包装:SOT-723
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • RoHS:Details
  • Mounting Styles:SMD/SMT
  • Transistor Polarity:N-Channel
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
  • Id - Continuous Drain Current:100 mA
  • Rds On - Drain-Source Resistance:8 Ohms
  • Vgs - Gate-Source Voltage:- 20 V, + 20 V
  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:800 mV
  • Minimum Operating Temperature:- 55 C
  • Maximum Operating Temperature:+ 150 C
  • Pd - Power Dissipation:150 mW
  • Fall Time:80 ns
  • Forward Transconductance - Min:20 mS
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:8000
  • Typical Turn-Off Delay Time:80 ns
  • Typical Turn-On Delay Time:15 ns
  • Unit Weight:0.000053 oz
  • Package:Bulk
  • Base Product Number:MC3541
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:100mA
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4V
  • 厂商:Micro Commercial Co
  • Power Dissipation (Max):150mW
  • Product Status:活跃
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
  • Package Style:小概要
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Operating Temperature-Min:-55 °C
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Rohs Code:
  • Manufacturer Part Number:MC3541-TP
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
  • Risk Rank:5.7
  • Drain Current-Max (ID):0.1 A
  • 系列:N-Ch Polarity
  • 包装:Reel
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:FLAT
  • Reach合规守则:compliant
  • JESD-30代码:R-PDSO-F3
  • 配置:Single
  • 通道数量:1 Channel
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:8Ohm @ 10mA, 4V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:13 pF @ 5 V
  • 上升时间:35 ns
  • 漏源电压 (Vdss):30 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 晶体管类型:1 N- Channel
  • 漏极-源极导通最大电阻:8 Ω
  • DS 击穿电压-最小值:30 V
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):0.15 W
  • 场效应管特性:-

采购询价