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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 / 2N930
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- 型号： 2N930
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-18-3
- 描述： Bipolar Transistors - BJT BJTs
- 库存地点： 内地
- 库存： 133
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 包装/外壳：TO-18-3
- 安装类型：通孔
- 触点镀层：Lead, Tin
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-18 (TO-206AA)
- RoHS：N
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：NPN
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：45 V
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1 V
- Maximum DC Collector Current：30 mA
- Pd - Power Dissipation：300 mW
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Unit Weight：0.052399 oz
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：30 mA
- Base Product Number：2N930
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Schedule B：8541210080
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45 V
- Number of Elements：1
- 包装：Bulk
- 操作温度：-55°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：-
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：300 mW
- 极性：NPN
- 配置：Single
- 功率耗散：300 mW
- 功率 - 最大：300 mW
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：45 V
- 最大集电极电流：30 mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 10µA, 5V
- 最大集极截止电流：2nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1V @ 500µA, 10mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：60 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：6 V
- 连续集电极电流：30
- 辐射硬化：无
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