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单MOSFET晶体管 / APT34F100L
- 价格 起订量
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- 型号： APT34F100L
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-264-3
- 描述： MOSFET FG, FREDFET, 1000V, TO-264View in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 17
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-264-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：TO-264 [L]
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1 kV
- Id - Continuous Drain Current：35 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：380 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Qg - Gate Charge：305 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：1.135 kW
- Channel Mode：Enhancement
- Fall Time：38 ns
- Forward Transconductance - Min：39 S
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Typical Turn-Off Delay Time：150 ns
- Typical Turn-On Delay Time：39 ns
- Unit Weight：0.352740 oz
- Continuous Drain Current Id：35
- Package：Tube
- Base Product Number：APT34F100
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：1135W (Tc)
- Product Status：活跃
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 功率耗散：1.135
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：400mOhm @ 18A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9835 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：305 nC @ 10 V
- 上升时间：40 ns
- 漏源电压 (Vdss)：1000 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 信道型：N
- 场效应管特性：-
- 高度：26.49 mm
- 长度：20.5 mm
- 宽度：5.21 mm
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