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单MOSFET晶体管 / APT77N60BC6
- 价格 起订量
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- 型号： APT77N60BC6
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： MOSFET FG, MOSFET, 600V, TO-247View in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247-3
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-247 [B]
- 质量：38.000013 g
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：600 V
- Id - Continuous Drain Current：77 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：37 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3 V
- Qg - Gate Charge：260 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：481 W
- Channel Mode：Enhancement
- Fall Time：8 ns
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Typical Turn-Off Delay Time：110 ns
- Typical Turn-On Delay Time：18 ns
- Unit Weight：0.211644 oz
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：110 ns
- Package：Tube
- Base Product Number：APT77N60
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：77A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：481W (Tc)
- Product Status：活跃
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3.6V @ 2.96mA
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT77N60BC6
- Package Shape：RECTANGULAR
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：2.25
- Part Package Code：TO-247
- Drain Current-Max (ID)：77 A
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：CoolMOS™
- JESD-609代码：e1
- 零件状态：Production (Last Updated: 1 month ago)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡银铜
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 附加功能：AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
- 最大功率耗散：481 W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：481 W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：18 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：41mOhm @ 44.4A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13600 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：260 nC @ 10 V
- 上升时间：27 ns
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：77 A
- JEDEC-95代码：TO-247
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：77 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.041 Ω
- 漏源击穿电压：600 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：272 A
- 输入电容：13.6 nF
- DS 击穿电压-最小值：600 V
- 雪崩能量等级（Eas）：1954 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：481 W
- 场效应管特性：-
- 漏源电阻：37 mΩ
- 最大rds：41 mΩ
- 高度：5.31 mm
- 长度：21.46 mm
- 宽度：16.26 mm
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：compliant
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