简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IPP50R350CPXK
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IPP50R350CPXK
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件包装：PG-TO220-3-1
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：89W (Tc)
- Product Status：活跃
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：CoolMOS™
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：350mOhm @ 5.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 370µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1020 pF @ 100 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：25 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：500 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 场效应管特性：-
相关产品
