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单MOSFET晶体管 / TW107N65C,S1F
- 价格 起订量
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： TW107N65C,S1F
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： G3 650V SIC-MOSFET TO-247 107MO
- 库存地点： 内地
- 库存： 96
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件包装：TO-247
- 厂商：东芝半导体与存储
- Package：Tube
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：18V
- Power Dissipation (Max)：76W (Tc)
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：650 V
- Typical Turn-On Delay Time：56 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：5 V
- Pd - Power Dissipation：111 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 175 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 10 V, + 25 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：30
- Mounting Styles：通孔
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：Toshiba
- Brand：Toshiba
- Qg - Gate Charge：28 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：113 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：56 ns
- Id - Continuous Drain Current：20 A
- 系列：-
- 操作温度：175°C
- 包装：Tube
- 子类别：MOSFETs
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：145mOhm @ 10A, 18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1.2mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：600 pF @ 400 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：21 nC @ 18 V
- 上升时间：32 ns
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：+25V, -10V
- 产品类别：MOSFET
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
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