单MOSFET晶体管 / NP35N04YLG-E1-AY

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型号： NP35N04YLG-E1-AY
厂商： Renesas Electronics America Inc
类别：单MOSFET晶体管
封装： 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
描述： ABU / MOSFET
库存地点：内地
库存： 2791
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 12.92600

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
安装类型：表面贴装
包装/外壳：8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
表面安装：YES
供应商器件包装：8-HSON
终端数量：5
晶体管元件材料：SILICON
厂商：Renesas Electronics America Inc
Product Status：活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V, 10V
Power Dissipation (Max)：1W (Ta), 77W (Tc)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
Manufacturer：Renesas Electronics
Brand：Renesas Electronics
RoHS：Details
Package Description：LEAD FREE, HSON-8
Package Style：小概要
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code：PLSN0008KA-A8
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：175 °C
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：NP35N04YLG-E1-AY
Package Shape：RECTANGULAR
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：不推荐
Ihs Manufacturer：RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank：5.7
Part Package Code：HSON
Drain Current-Max (ID)：35 A
系列：-
操作温度：175°C
包装：Tube
ECCN 代码：EAR99
附加功能：逻辑电平兼容
子类别：MOSFETs
端子位置：DUAL
终端形式：FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
引脚数量：8
JESD-30代码：R-PDSO-F5
Brand Name：Renesas
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式：增强型MOSFET
箱体转运：DRAIN
场效应管类型：N-Channel
晶体管应用：SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs：9.7mOhm @ 17.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2850 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：51 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：40 V
Vgs（最大值）：±20V
极性/通道类型：N-CHANNEL
产品类别：MOSFET
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
漏极-源极导通最大电阻：0.015 Ω
DS 击穿电压-最小值：40 V
场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)：77 W
场效应管特性：-
反馈上限-最大值 (Crss)：220 pF
产品类别：MOSFET
宽度：5 mm
高度：1.45 mm
长度：5.4 mm