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单MOSFET晶体管 / ACMSN2312T-HF
- 价格 起订量
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- 型号： ACMSN2312T-HF
- 厂商： Comchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 29
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供应商器件包装：SOT-23-3
- Power Dissipation (Max)：750mW (Ta)
- 厂商：芯片技术
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.9A (Ta)
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.2V @ 250μA
- Base Product Number：ACMSN2312
- Typical Turn-On Delay Time：15 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：1.2 V
- Qualification：AEC-Q101
- Pd - Power Dissipation：750 mW
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 8 V, + 8 V
- Unit Weight：0.000282 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Channel Mode：Enhancement
- Manufacturer：芯片技术
- Brand：芯片技术
- Qg - Gate Charge：11.2 nC
- Rds On - Drain-Source Resistance：31 mOhms
- RoHS：过渡中
- Typical Turn-Off Delay Time：48 ns
- Id - Continuous Drain Current：4.9 A
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：8 V, 8 V
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：MouseReel
- 子类别：MOSFETs
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：31mOhm @ 5A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：500 pF @ 8 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：14 nC @ 4.5 V
- 上升时间：40 ns
- 漏源电压 (Vdss)：20 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 产品类别：MOSFET
- 场效应管特性：-
- 产品类别：MOSFET
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