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单MOSFET晶体管 / NTE67

  • 价格 起订量
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  • ¥ 0 1000+
  • 型号: NTE67
  • 厂商: NTE Electronics, Inc
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-220-3
  • 描述: MOSFET N-CHANNEL 400V 4.5A TO220
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 33
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-220-3
  • 表面安装:NO
  • 供应商器件包装:TO-220
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • 厂商:NTE Electronics, Inc
  • Package:Bag
  • Product Status:活跃
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:4.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • Power Dissipation (Max):75W (Tc)
  • Manufacturer Part Number:NTE67
  • Manufacturer:NTE Electronics
  • Continuous Drain Current:4.5(A)
  • Drain-Source On-Volt:400(V)
  • Operating Temperature Classification:Military
  • Package Type:TO-220
  • Operating Temp Range:-55C to 150C
  • Gate-Source Voltage (Max):±20(V)
  • Channel Mode:Enhancement
  • Number of Elements:1
  • Rad Hardened:
  • Mounting:通孔
  • Package Description:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
  • Package Style:FLANGE MOUNT
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Rohs Code:
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:NTE ELECTRONICS INC
  • Turn-off Time-Max (toff):90 ns
  • Risk Rank:1.59
  • Part Package Code:TO-220AB
  • Drain Current-Max (ID):4.5 A
  • 系列:-
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • ECCN 代码:EAR99
  • 类型:功率MOSFET
  • 附加功能:HIGH RELIABILITY
  • HTS代码:8541.29.00.95
  • 子类别:FET 通用电源
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:THROUGH-HOLE
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:unknown
  • 引脚数量:3 +Tab
  • JESD-30代码:R-PSFM-T3
  • 资历状况:不合格
  • 极性:N
  • 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 功率耗散:75(W)
  • 箱体转运:DRAIN
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5Ohm @ 3A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:780 pF @ 25 V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:30 nC @ 10 V
  • 漏源电压 (Vdss):400 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • JEDEC-95代码:TO-220AB
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID):5.5 A
  • 漏极-源极导通最大电阻:1.5 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):18 A
  • DS 击穿电压-最小值:400 V
  • 雪崩能量等级(Eas):290 mJ
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):75 W
  • 场效应管特性:-
  • 环境耗散-最大值:75 W

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