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单MOSFET晶体管 / NTR4101PT1
- 价格 起订量
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- 型号： NTR4101PT1
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： 1800mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, TO-236, CASE 318-08, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 5000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：CASE 318-08
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：NTR4101PT1
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：安森美半导体
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Risk Rank：5.37
- Part Package Code：SOT-23
- Drain Current-Max (ID)：1.8 A
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 子类别：其他晶体管
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：240
- Reach合规守则：not_compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-236AB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.085 Ω
- DS 击穿电压-最小值：20 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：0.5 W
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