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单MOSFET晶体管 / NTMS5P02R2
- 价格 起订量
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- 型号： NTMS5P02R2
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： Single P-Channel Enhancement−Mode Power MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
- 库存地点： 内地
- 库存： 2306
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：8-SOIC
- 终端数量：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- Base Product Number：NTMS5P
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.05A (Tj)
- 厂商：onsemi
- Product Status：Obsolete
- Package Description：MINIATURE, CASE 751-07, SOIC-8
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：CASE 751-07
- Reflow Temperature-Max (s)：30
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：NTMS5P02R2
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.34
- Part Package Code：SOT
- Drain Current-Max (ID)：3.95 A
- 系列：-
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：有
- 端子表面处理：锡铅
- 附加功能：雪崩 额定
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：240
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：8
- JESD-30代码：R-PDSO-G8
- 资历状况：COMMERCIAL
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：P-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：33mOhm @ 5.4A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1900 pF @ 16 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：35 nC @ 4.5 V
- 漏源电压 (Vdss)：20 V
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻：0.033 Ω
- DS 击穿电压-最小值：20 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
- 反馈上限-最大值 (Crss)：380 pF
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