简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / MCH3406-TL-E
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： MCH3406-TL-E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,3A I(D),SC-70VAR
- 库存地点： 内地
- 库存： 35343
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：1 Week
- 底架：表面贴装
- 表面安装：YES
- 引脚数：3
- RoHS：Compliant
- Package：Bulk
- 厂商：onsemi
- Product Status：活跃
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：MCH3406-TL-E
- Manufacturer：安森美半导体
- Part Life Cycle Code：生命周期结束
- Ihs Manufacturer：ON SEMICONDUCTOR
- Risk Rank：5.74
- 系列：*
- JESD-609代码：e6
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 子类别：FET 通用电源
- Reach合规守则：not_compliant
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1 W
- 漏源电压 (Vdss)：20 V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：3 A
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：1 W
- 无铅：无铅
相关产品
