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单MOSFET晶体管 / JANTX2N6798
- 价格 起订量
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- 型号： JANTX2N6798
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-205AF, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 86
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Schedule B：8541290080
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Package Description：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Package Style：CYLINDRICAL
- Package Body Material：METAL
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：JANTX2N6798
- Package Shape：ROUND
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：7.04
- Drain Current-Max (ID)：5.5 A
- 包装：Bulk
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- 零件状态：Production (Last Updated: 2 years ago)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- HTS代码：8541.21.00.95
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：WIRE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 参考标准：MIL-19500
- JESD-30代码：O-MBCY-W3
- 资历状况：Qualified
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：25 W
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：3.5 A
- JEDEC-95代码：TO-205AF
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.42 Ω
- 漏源击穿电压：200 V
- DS 击穿电压-最小值：200 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：25 W
- 通态电阻：400 mΩ
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：not_compliant
- 无铅：含铅
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