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单MOSFET晶体管 / IPI65R600C6
- 价格 起订量
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- 型号： IPI65R600C6
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 110
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件包装：PG-TO262-3-1
- 包装数量：500
- Continuous Drain Current Id：7.3
- Turn Off Delay Time：80 ns
- RoHS：Compliant
- Number of Elements：1
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：700 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：3.5 V
- Pd - Power Dissipation：63 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Unit Weight：0.084199 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：500
- Mounting Styles：通孔
- Channel Mode：Enhancement
- Part # Aliases：IPI65R6C6XK SP000850504 IPI65R600C6XKSA1
- Manufacturer：Infineon
- Brand：Infineon Technologies
- Qg - Gate Charge：23 nC
- Tradename：CoolMOS
- Rds On - Drain-Source Resistance：600 mOhms
- Typical Turn-Off Delay Time：80 nS
- Id - Continuous Drain Current：7.3 A
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.3A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Infineon Technologies
- Power Dissipation (Max)：63W (Tc)
- Product Status：活跃
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3.5V @ 210µA
- 系列：CoolMOS C6
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 零件状态：Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 子类别：MOSFETs
- 最大功率耗散：63 W
- 技术：Si
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 功率耗散：63 W
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：600mOhm @ 2.1A, 10V
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：440 pF @ 100 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：23 nC @ 10 V
- 上升时间：9 ns
- 漏源电压 (Vdss)：650 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 产品类别：MOSFET
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 连续放电电流(ID)：7.3 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20 V
- 最大双电源电压：650 V
- 输入电容：440 pF
- 信道型：N
- 场效应管特性：-
- 最大rds：600 mΩ
- 通态电阻：600 mΩ
- 产品类别：MOSFET
- 宽度：4.5 mm
- 高度：9.45 mm
- 长度：10.2 mm
- 无铅：无铅
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