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单MOSFET晶体管 / BUZ11A
- 价格 起订量
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- 型号： BUZ11A
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： 26A, 50V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：TO-220, 3 PIN
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：BUZ11A
- Turn-on Time-Max (ton)：175 ns
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：STMicroelectronics
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：STMICROELECTRONICS
- Turn-off Time-Max (toff)：450 ns
- Risk Rank：7.56
- Part Package Code：TO-220AB
- Drain Current-Max (ID)：26 A
- JESD-609代码：e3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.055 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：104 A
- DS 击穿电压-最小值：50 V
- 雪崩能量等级（Eas）：120 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：75 W
- 反馈上限-最大值 (Crss)：200 pF
- 环境耗散-最大值：95 W
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