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存储器 / IS62WV6416DBLL-45BLI
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
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- ¥ 0 1000+
- 型号: IS62WV6416DBLL-45BLI
- 厂商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别: 存储器
- 封装: 48-TFBGA
- 描述: SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-bit 64K x 16 45ns 48-Pin TFBGA
- 库存地点: 内地
- 库存: 1
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:48-TFBGA
- 表面安装:YES
- 引脚数:48
- Memory Types:Volatile
- 操作温度:-40°C~85°C TA
- 包装:Tray
- JESD-609代码:e1
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:48
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:锡银铜
- 电压 - 供电 :2.3V~3.6V
- 端子位置:BOTTOM
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 功能数量:1
- 电源电压:3.3V
- 端子间距:0.75mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):40
- 引脚数量:48
- 电源电压-最大值(Vsup):3.6V
- 电源:2.5/3.3V
- 电源电压-最小值(Vsup):2.3V
- 内存大小:1Mb 64K x 16
- 端口的数量:1
- 电源电流:8mA
- 内存格式:SRAM
- 内存接口:Parallel
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:16
- 写入周期时间 - 字符、页面:45ns
- 地址总线宽度:16b
- 密度:1 Mb
- 待机电流-最大值:0.000004A
- 访问时间(最大):45 ns
- I/O类型:COMMON
- 同步/异步:Asynchronous
- 字长:16b
- 长度:8mm
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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