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存储器 / IS42S16400J-6BL-TR
- 价格 起订量
- ¥ 15.24773 1+
- ¥ 14.38465 10+
- ¥ 13.57043 100+
- ¥ 12.80229 500+
- ¥ 12.07763 1000+
- 型号: IS42S16400J-6BL-TR
- 厂商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别: 存储器
- 封装: 54-TFBGA
- 描述: DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 6000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 15.24773
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:6 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:54-TFBGA
- 引脚数:54
- Memory Types:Volatile
- 操作温度:0°C~70°C TA
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:54
- 电压 - 供电 :3V~3.6V
- 端子位置:BOTTOM
- 电源电压:3.3V
- 端子间距:0.8mm
- 工作电源电压:3.3V
- 内存大小:64Mb 4M x 16
- 电源电流:100mA
- 时钟频率:166MHz
- 访问时间:5.4ns
- 内存格式:DRAM
- 内存接口:Parallel
- 数据总线宽度:16b
- 组织结构:4MX16
- 输出特性:3-STATE
- 内存宽度:16
- 地址总线宽度:14b
- 密度:64 Mb
- 待机电流-最大值:0.002A
- I/O类型:COMMON
- 刷新周期:4096
- 顺序突发长度:1248FP
- 交错突发长度:1248
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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