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单MOSFET晶体管 / BS170
- 价格 起订量
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- 型号： BS170
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BS170.....MOSFET Transistor, N Channel, 500 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 27890
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：11 Weeks
- 触点镀层：Copper, Silver, Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-92-3
- 质量：4.535924g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：500mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：830mW Ta
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2005
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：5Ohm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：60V
- 额定电流：500mA
- 基本部件号：BS170
- 电压：60V
- 元素配置：Single
- 电流：5A
- 功率耗散：830mW
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5Ohm @ 200mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：40pF @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：500mA
- 阈值电压：2.1V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 输入电容：24pF
- 漏源电阻：5Ohm
- 最大rds：5 Ω
- 栅源电压：2.1 V
- 高度：5.33mm
- 长度：5.2mm
- 宽度：4.19mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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