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存储器 / IS25LP080D-JBLE-TR
- 价格 起订量
- ¥ 3.66134 1+
- ¥ 3.45410 10+
- ¥ 3.25858 100+
- ¥ 3.07413 500+
- ¥ 2.90013 1000+
- 型号: IS25LP080D-JBLE-TR
- 厂商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别: 存储器
- 封装: 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- 描述: IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC
- 库存地点: 内地
- 库存: 18000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 3.66134
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:8 Weeks
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- 表面安装:YES
- Memory Types:Non-Volatile
- 操作温度:-40°C~105°C TA
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:8
- 电压 - 供电 :2.3V~3.6V
- 端子位置:DUAL
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 功能数量:1
- 电源电压:3V
- 端子间距:1.27mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- JESD-30代码:S-PDSO-G8
- 电源电压-最大值(Vsup):3.6V
- 电源电压-最小值(Vsup):2.3V
- 内存大小:8Mb 1M x 8
- 操作模式:SYNCHRONOUS
- 时钟频率:133MHz
- 内存格式:FLASH
- 内存接口:SPI - Quad I/O, QPI, DTR
- 组织结构:1MX8
- 内存宽度:8
- 写入周期时间 - 字符、页面:800μs
- 记忆密度:8388608 bit
- 并行/串行:SERIAL
- 编程电压:3V
- 长度:5.28mm
- 座位高度(最大):2.16mm
- 宽度:5.28mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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