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存储器 / IS62WV25616BLL-55TLI-TR
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: IS62WV25616BLL-55TLI-TR
- 厂商: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别: 存储器
- 封装: 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 描述: SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 55ns 44-Pin TSOP-II T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 5000
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:8 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- 引脚数:44
- Memory Types:Volatile
- Usage Level:Industrial grade
- 操作温度:-40°C~85°C TA
- 包装:Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码:e3
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):3 (168 Hours)
- 终止次数:44
- 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
- 电压 - 供电 :2.5V~3.6V
- 端子位置:DUAL
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 功能数量:1
- 端子间距:0.8mm
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):10
- 工作电源电压:3.3V
- 电源电压-最大值(Vsup):3.6V
- 电源电压-最小值(Vsup):2.5V
- 内存大小:4Mb 256K x 16
- 端口的数量:1
- 电源电流:15mA
- 内存格式:SRAM
- 内存接口:Parallel
- 内存宽度:16
- 写入周期时间 - 字符、页面:55ns
- 地址总线宽度:18b
- 密度:4 Mb
- 访问时间(最大):55 ns
- 同步/异步:Asynchronous
- 字长:16b
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
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