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单相BJT晶体管 - 预偏置 / PDTA113EE,115
- 价格 起订量
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- 型号： PDTA113EE,115
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： SC-75, SOT-416
- 描述： TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-75, SOT-416
- 表面安装：YES
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：1
- Operating Temperature (Max.)：150°C
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 基本部件号：PDTA113
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- 功率 - 最大：150mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 晶体管类型：PNP - Pre-Biased
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：30 @ 40mA 5V
- 最大集极截止电流：1μA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：150mV @ 1.5mA, 30mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 最大耗散功率(Abs)：0.15W
- 电阻基(R1)：1 k Ω
- 电阻-发射极基极(R2)：1 k Ω
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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