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单相BJT晶体管 - 预偏置 / DRC2123E0L
- 价格 起订量
- ¥ 1.34555 1+
- ¥ 1.26938 10+
- ¥ 1.19753 100+
- ¥ 1.12975 500+
- ¥ 1.06580 1000+
- 型号: DRC2123E0L
- 厂商: Panasonic Electronic Components
- 类别: 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述: Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
- 库存地点: 内地
- 库存: 32
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 1.34555
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:10 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:300mV
- Number of Elements:1
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2010
- 零件状态:Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 最高工作温度:150°C
- HTS代码:8541.21.00.95
- 最大功率耗散:200mW
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 基本部件号:DRC2123
- 极性:NPN
- 元素配置:Single
- 晶体管应用:SWITCHING
- 晶体管类型:NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO):50V
- 最大集电极电流:100mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:6 @ 5mA 10V
- 最大集极截止电流:500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):300mV @ 500μA, 10mA
- 最大击穿电压:50V
- 电阻基(R1):2.2 k Ω
- 连续集电极电流:100mA
- 电阻-发射极基极(R2):2.2 k Ω
- 高度:1.1mm
- 长度:2.9mm
- 宽度:1.5mm
- RoHS状态:符合RoHS标准
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