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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 - 预偏置 / MUN2136T1G
- 价格 起订量
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- 型号： MUN2136T1G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 40000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 表面安装：YES
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数：3
- 质量：7.994566mg
- hFEMin：80
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- 已出版：2013
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 附加功能：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- 最大功率耗散：230mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：3
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：SWITCHING
- 无卤素：无卤素
- 晶体管类型：PNP - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 5mA 10V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 300μA, 10mA
- 电阻基(R1)：100 k Ω
- 连续集电极电流：100mA
- 电阻-发射极基极(R2)：100 k Ω
- 宽度：1.5mm
- 长度：2.9mm
- 高度：1.09mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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