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单相BJT晶体管 - 预偏置 / FJY3012R
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： FJY3012R
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： SC-89, SOT-490
- 描述： TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
- 库存地点： 内地
- 库存： 632
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-89, SOT-490
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：SOT-523F
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- hFEMin：100
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终端：SMD/SMT
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：40V
- 最大功率耗散：200mW
- 额定电流：100mA
- 基本部件号：FJY3012
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200mW
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管类型：NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：40V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 1mA, 10mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
- 最大击穿电压：40V
- 频率转换：250MHz
- 电阻基(R1)：47 kOhms
- 连续集电极电流：100mA
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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