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单相BJT晶体管 - 预偏置 / FJV3113RMTF
- 价格 起订量
- ￥ 0.39550 1+
- ￥ 0.37311 10+
- ￥ 0.35199 100+
- ￥ 0.33207 500+
- ￥ 0.31327 1000+
- 型号： FJV3113RMTF
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/2.2K 47K
- 库存地点： 内地
- 库存： 66376
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.39550
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：2 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- 质量：30mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：68
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- HTS代码：8541.21.00.95
- 电压 - 额定直流：50V
- 最大功率耗散：200mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：100mA
- 基本部件号：FJV3113
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 功率耗散：200mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：68 @ 5mA 5V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 500μA, 10mA
- 转换频率：250MHz
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：250MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：10V
- 电阻基(R1)：2.2 k Ω
- 连续集电极电流：100mA
- 电阻-发射极基极(R2)：47 k Ω
- 高度：930μm
- 长度：2.92mm
- 宽度：1.3mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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