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单相BJT晶体管 - 预偏置 / DTB543XMT2L
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: DTB543XMT2L
- 厂商: ROHM Semiconductor
- 类别: 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装: SOT-723
- 描述: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
- 库存地点: 内地
- 库存: 32
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:13 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SOT-723
- 引脚数:3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:12V
- Number of Elements:1
- hFEMin:140
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2013
- JESD-609代码:e2
- 无铅代码:yes
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:锡铜
- 最高工作温度:150°C
- 最小工作温度:-55°C
- 附加功能:BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.1
- 最大功率耗散:150mW
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:FLAT
- 峰值回流焊温度(摄氏度):260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):10
- 基本部件号:DTB543
- 引脚数量:3
- 输出电压:-70mV
- 极性:PNP
- 元素配置:Single
- 晶体管应用:AMPLIFIER
- 晶体管类型:PNP - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO):300mV
- 最大集电极电流:500mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:140 @ 100mA 2V
- 最大集极截止电流:500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):300mV @ 5mA, 100mA
- 最高频率:260MHz
- 转换频率:260MHz
- 频率转换:260MHz
- 电阻基(R1):4.7 k Ω
- 连续集电极电流:-500mA
- 电阻-发射极基极(R2):10 k Ω
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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