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单相BJT晶体管 - 预偏置 / RN1423TE85LF
- 价格 起订量
- ￥ 3.05622 1+
- ￥ 2.88322 10+
- ￥ 2.72002 100+
- ￥ 2.56606 500+
- ￥ 2.42081 1000+
- 型号： RN1423TE85LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
- 库存地点： 内地
- 库存： 22238
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.05622
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2010
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：200mW
- 基本部件号：RN142*
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 晶体管类型：NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：800mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：70 @ 100mA 1V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 1mA, 50mA
- 频率转换：300MHz
- 电阻基(R1)：4.7 k Ω
- 电阻-发射极基极(R2)：4.7 k Ω
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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