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单相BJT晶体管 - 预偏置 / DTA023JEBTL
- 价格 起订量
- ￥ 1.36023 1+
- ￥ 1.28323 10+
- ￥ 1.21060 100+
- ￥ 1.14207 500+
- ￥ 1.07743 1000+
- 型号： DTA023JEBTL
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： SC-89, SOT-490
- 描述： TRANS PREBIAS PNP 50V 0.15W SC89
- 库存地点： 内地
- 库存： 39000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.36023
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-89, SOT-490
- 质量：29.993795mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：1
- hFEMin：80
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2016
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150°C
- 附加功能：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
- 最大功率耗散：150mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- JESD-30代码：R-PDSO-F3
- 输出电压：-70mV
- 极性：PNP
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：PNP - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：150mV
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 5mA 10V
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：150mV @ 500μA, 5mA
- 最高频率：250MHz
- 转换频率：250MHz
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：250MHz
- 电阻基(R1)：2.2 k Ω
- 连续集电极电流：-100mA
- 电阻-发射极基极(R2)：47 k Ω
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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