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单相BJT晶体管 - 预偏置 / DDTD122TU-7
- 价格 起订量
- ¥ 0.00198 1+
- ¥ 0.00187 10+
- ¥ 0.00176 100+
- ¥ 0.00166 500+
- ¥ 0.00157 1000+
- 型号: DDTD122TU-7
- 厂商: Diodes Incorporated
- 类别: 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装: SC-70, SOT-323
- 描述: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
- 库存地点: 内地
- 库存: 5292
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00198
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:SC-70, SOT-323
- 质量:6.010099mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Number of Elements:1
- hFEMin:100
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2007
- JESD-609代码:e0
- 无铅代码:no
- 零件状态:Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:3
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:锡铅
- 最高工作温度:150°C
- 最小工作温度:-55°C
- 附加功能:BUILT-IN BIAS RESISTOR
- 电压 - 额定直流:50V
- 最大功率耗散:200mW
- 端子位置:DUAL
- 终端形式:鸥翼
- 峰值回流焊温度(摄氏度):235
- Reach合规守则:unknown
- 额定电流:500mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):10
- 引脚数量:3
- JESD-30代码:R-PDSO-G3
- 资历状况:不合格
- 极性:NPN
- 元素配置:Single
- 晶体管类型:NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO):300mV
- 最大集电极电流:500mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:100 @ 5mA 5V
- 最大集极截止电流:500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):300mV @ 2.5mA, 50mA
- 转换频率:200MHz
- 最大击穿电压:50V
- 频率转换:200MHz
- 电阻基(R1):220 Ω
- 连续集电极电流:500mA
- 高度:1mm
- 长度:2.2mm
- 宽度:1.35mm
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:含铅
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