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图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 - 预偏置 / RN1306,LF
- 价格 起订量
- ￥ 1.10154 1+
- ￥ 1.03919 10+
- ￥ 0.98036 100+
- ￥ 0.92487 500+
- ￥ 0.87252 1000+
- 型号： RN1306,LF
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： SC-70, SOT-323
- 描述： Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.10154
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-70, SOT-323
- 引脚数：3
- 质量：28.009329mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- hFEMin：80
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2014
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：100mW
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 晶体管类型：NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 250μA, 5mA
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：250MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：50V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 电阻基(R1)：4.7 k Ω
- 连续集电极电流：100mA
- 电阻-发射极基极(R2)：47 k Ω
- 高度：900μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.25mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
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