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单相BJT晶体管 - 预偏置 / DRC5123E0L
- 价格 起订量
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- ￥ 0.57328 500+
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- 型号： DRC5123E0L
- 厂商： Panasonic Electronic Components
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： SC-85
- 描述： Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
- 库存地点： 内地
- 库存： 32
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.68279
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-85
- 引脚数：85
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300mV
- Number of Elements：1
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 最高工作温度：150°C
- 附加功能：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- 最大功率耗散：100mW
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：DRC5123
- JESD-30代码：R-PDSO-F3
- 极性：NPN
- 元素配置：Single
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：NPN - Pre-Biased
- 集电极发射器电压(VCEO)：50V
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：6 @ 5mA 10V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 500μA, 10mA
- 最大击穿电压：50V
- 电阻基(R1)：2.2 k Ω
- 连续集电极电流：100mA
- 电阻-发射极基极(R2)：2.2 k Ω
- 高度：800μm
- 长度：2mm
- 宽度：1.25mm
- RoHS状态：符合RoHS标准
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