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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / MUN5116DW1T1
- 价格 起订量
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- 型号： MUN5116DW1T1
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
- 库存地点： 内地
- 库存： 90000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Number of Elements：2
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e0
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn80Pb20)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 附加功能：BUILT-IN BIAS RESISTOR
- 电压 - 额定直流：-50V
- 最大功率耗散：250mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：240
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：-100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 基本部件号：MUN51**DW1T
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：R-PDSO-G6
- 资历状况：不合格
- 极性：PNP
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：250mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：250mV
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：160 @ 5mA 10V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：250mV @ 1mA, 10mA
- 电阻基(R1)：4.7k Ω
- 连续集电极电流：-100mA
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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