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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / DMG564H20R
- 价格 起订量
- ¥ 0.88637 1+
- ¥ 0.83619 10+
- ¥ 0.78886 100+
- ¥ 0.74421 500+
- ¥ 0.70208 1000+
- 型号: DMG564H20R
- 厂商: Panasonic Electronic Components
- 类别: BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装: 6-SMD, Flat Leads
- 描述: Bipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
- 库存地点: 内地
- 库存: 32
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.88637
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:10 Weeks
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:6-SMD, Flat Leads
- 引脚数:6
- 晶体管元件材料:SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:250mV
- Number of Elements:2
- 包装:Tape & Reel (TR)
- 已出版:2010
- 零件状态:Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 终止次数:6
- ECCN 代码:EAR99
- 最高工作温度:150°C
- 附加功能:BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 10
- HTS代码:8541.21.00.95
- 最大功率耗散:150mW
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:unknown
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 基本部件号:DMG564
- 极性:NPN, PNP
- 元素配置:Dual
- 晶体管应用:SWITCHING
- 晶体管类型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO):250mV
- 最大集电极电流:100mA
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:80 @ 5mA 10V / 30 @ 5mA 10V
- 最大集极截止电流:500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):250mV @ 500μA, 10mA
- 最大击穿电压:50V
- 电阻基(R1):4.7k Ω, 1k Ω
- 连续集电极电流:-100mA
- 电阻-发射极基极(R2):47k Ω, 10k Ω
- 高度:600μm
- 长度:2mm
- 宽度:1.25mm
- RoHS状态:符合RoHS标准
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