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图片经供参考，以实物为准
BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / DDA123JU-7
- 价格 起订量
- ￥ 3.23163 1+
- ￥ 3.04871 10+
- ￥ 2.87614 100+
- ￥ 2.71334 500+
- ￥ 2.55976 1000+
- 型号： DDA123JU-7
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： SOT-363
- 描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.23163
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：SOT-363
- 底架：表面贴装
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- hFEMin：80
- Number of Elements：2
- 已出版：2002
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e0
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn85Pb15)
- HTS代码：8541.21.00.75
- 电压 - 额定直流：-50V
- 最大功率耗散：200mW
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：235
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：-100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 引脚数量：6
- 资历状况：不合格
- 极性：PNP
- 元素配置：Dual
- 集电极发射器电压(VCEO)：300mV
- 最大集电极电流：100mA
- 转换频率：250MHz
- 最大击穿电压：50V
- 最小直流增益（hFE）：80
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：含铅
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