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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / EMF5T2R
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： EMF5T2R
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
- 库存地点： 内地
- 库存： 308011
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：13 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 引脚数：6
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：12V
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA 500mA
- Number of Elements：2
- hFEMin：270
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2003
- JESD-609代码：e2
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Copper (Sn/Cu)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 附加功能：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- HTS代码：8541.21.00.75
- 最大功率耗散：150mW
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 额定电流：100mA
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：10
- 基本部件号：*MF5
- 引脚数量：6
- 输出电压：12V
- 极性：PNP, NPN
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：150mW
- 晶体管应用：SWITCHING
- 晶体管类型：1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- 集电极发射器电压(VCEO)：300mV
- 最大集电极电流：500mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：68 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V 12V
- 转换频率：250MHz
- 最大击穿电压：12V
- 频率转换：250MHz 260MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：-6V
- 电阻基(R1)：47k Ω
- 连续集电极电流：-500mA
- 电阻-发射极基极(R2)：47k Ω
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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