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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / RN1910FE,LF(CT
- 价格 起订量
- ￥ 1.32801 1+
- ￥ 1.25284 10+
- ￥ 1.18192 100+
- ￥ 1.11502 500+
- ￥ 1.05191 1000+
- 型号： RN1910FE,LF(CT
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 32034
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.32801
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 供应商器件包装：ES6
- 质量：3.005049mg
- hFEMin：120
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2014
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最大功率耗散：100mW
- 极性：NPN
- 功率 - 最大：100mW
- 晶体管类型：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- 集电极发射器电压(VCEO)：300mV
- 最大集电极电流：100mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：120 @ 1mA 5V
- 最大集极截止电流：100nA ICBO
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 250μA, 5mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 最大击穿电压：50V
- 频率转换：250MHz
- 发射极基极电压 (VEBO)：5V
- 电阻基(R1)：4.7kOhms
- 连续集电极电流：100mA
- RoHS状态：符合RoHS标准
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