简体中文
图片经供参考，以实物为准
专用晶体管 / SI2323DDS-T1-GE3
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： SI2323DDS-T1-GE3
- 厂商： Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： SI2323DDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 4.3 A, 20 V, 3-Pin TO-236 | Siliconix / Vishay SI2323DDS-T1-GE3
- 库存地点： 内地
- 库存： 45300
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- Case/Package：SOT-23-3
- Fall Time：11 ns
- RoHS：Compliant
- Schedule B：8541210080, 8541210080|8541210080|8541210080|8541210080|8541210080
- Turn Off Delay Time：58 ns
- 包装：Cut Tape (CT)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：1.7 W
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：960 mW
- 接通延迟时间：8 ns
- 上升时间：22 ns
- 漏源电压 (Vdss)：-20 V
- 连续放电电流(ID)：-4.1 A
- 阈值电压：-1 V
- 栅极至源极电压(Vgs)：8 V
- 漏源击穿电压：-20 V
- 输入电容：1.16 nF
- 最大结点温度（Tj）：150 °C
- 漏源电阻：32 mΩ
- 最大rds：39 mΩ
- 高度：1.12 mm
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
相关产品
