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专用晶体管 / SI2399DS-T1-GE3
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- 型号： SI2399DS-T1-GE3
- 厂商： Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别： 专用晶体管
- 封装：
- 描述： Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 0.034ohm; 2.5W; -55 150 deg.C; SMD; SOT23
- 库存地点： 内地
- 库存： 959
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- Case/Package：SOT-23-3
- Fall Time：9 ns
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Schedule B：8541290080
- Turn Off Delay Time：28 ns
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：2.5 W
- 通道数量：1
- 功率耗散：2.5 W
- 接通延迟时间：22 ns
- 上升时间：20 ns
- 漏源电压 (Vdss)：-20 V
- 连续放电电流(ID)：-6 A
- 阈值电压：-600 mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：12 V
- 漏源击穿电压：-20 V
- 输入电容：835 pF
- 最大结点温度（Tj）：150 °C
- 漏源电阻：37 mΩ
- 最大rds：34 mΩ
- 栅源电压：-600 mV
- 高度：1.12 mm
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：无SVHC
- 无铅：无铅
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