简体中文
图片经供参考，以实物为准
单片IGBT晶体管 / SIGC39T65E
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： SIGC39T65E
- 厂商： Infineon Technologies AG
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装：
- 描述： Insulated Gate Bipolar Transistor
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 外壳材料：1
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Package Description：,
- Operating Temperature-Max：175 °C
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：UNCASED CHIP
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-XUUC-N3
- 配置：SINGLE
- 晶体管应用：电源控制
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 集电极-发射器电压-最大值：650 V
- 栅极-发射极电压-最大值：20 V
- VCEsat-最大值：1.77 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.4 V
相关产品
