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单片IGBT晶体管 / HGTG10N120BND
- 价格 起订量
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- 型号： HGTG10N120BND
- 厂商： Intersil Corporation
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装：
- 描述： Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- 外壳材料：1
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Transferred
- Ihs Manufacturer：INTERSIL CORP
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Rise Time-Max (tr)：15 ns
- Turn-off Time-Nom (toff)：330 ns
- Turn-on Time-Nom (ton)：32 ns
- JESD-609代码：e0
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 附加功能：低导通损耗
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：not_compliant
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 晶体管应用：MOTOR CONTROL
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-247
- 最大耗散功率(Abs)：298 W
- 集电极电流-最大值(IC)：35 A
- 集电极-发射器电压-最大值：1200 V
- 栅极-发射极电压-最大值：20 V
- 最大下降时间 (tf)：200 ns
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