图片经供参考,以实物为准

MOSFETs 晶体管阵列 / NTMFD4C86NT1G

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: NTMFD4C86NT1G
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: MOSFETs 晶体管阵列
  • 封装: 8-PowerTDFN
  • 描述: MOSFET NFET SO8FL 30V 32A 2.1MOH
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 18000
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:24 Weeks
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:8-PowerTDFN
  • 引脚数:8
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:11.3A 18.1A
  • 操作温度:-55°C~150°C TJ
  • 包装:Tape & Reel (TR)
  • 已出版:2015
  • 无铅代码:yes
  • 零件状态:Obsolete
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • 最大功率耗散:1.1W
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:5.4m Ω @ 30A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:1153pF @ 15V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:22.2nC @ 10V
  • 漏源电压 (Vdss):30V
  • 连续放电电流(ID):18.1A
  • 场效应管特性:Standard
  • RoHS状态:符合RoHS标准
  • 无铅:无铅