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MOSFETs 晶体管阵列 / BSL806NL6327HTSA1
- 价格 起订量
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- 型号： BSL806NL6327HTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： Trans MOSFET N-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 786
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：12 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2013
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- 最大功率耗散：500mW
- 终端形式：鸥翼
- 基本部件号：BSL806
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：R-PDSO-G6
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：7.5 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：57m Ω @ 2.3A, 2.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 11μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：259pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：1.7nC @ 2.5V
- 上升时间：9.9ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：3.7 ns
- 连续放电电流(ID)：2.3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.057Ohm
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 反馈上限-最大值 (Crss)：28.6 pF
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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