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MOSFETs 晶体管阵列 / IRLHS6376TR2PBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRLHS6376TR2PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 6-VDFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 9
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-VDFN Exposed Pad
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：6-PQFN (2x2)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.6A
- Turn Off Delay Time：11 ns
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2009
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：63MOhm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：1.5W
- 基本部件号：IRLHS6376
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：6.6W
- 接通延迟时间：4.4 ns
- 功率 - 最大：1.5W
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：63mOhm @ 3.4A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：270pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：2.8nC @ 4.5V
- 上升时间：11ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：9.4 ns
- 连续放电电流(ID)：3.6A
- 阈值电压：800mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：30V
- 输入电容：270pF
- 恢复时间：12 ns
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：63mOhm
- 最大rds：63 mΩ
- 栅源电压：800 mV
- 高度：950μm
- 长度：2.1mm
- 宽度：2.1mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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