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MOSFETs 晶体管阵列 / IRF9358PBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRF9358PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 2900
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：146 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2004
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：16.3MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 最大功率耗散：2W
- 终端形式：鸥翼
- 基本部件号：IRF9358PBF
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：5.7 ns
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：16.3m Ω @ 9.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 25μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1740pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：38nC @ 10V
- 上升时间：7.2ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 下降时间（典型值）：69 ns
- 连续放电电流(ID)：9.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：73A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 恢复时间：83 ns
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 栅源电压：-1.8 V
- 高度：1.5mm
- 长度：5mm
- 宽度：4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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