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MOSFETs 晶体管阵列 / FDS6898AZ-F085
- 价格 起订量
- ￥ 26.71892 1+
- ￥ 25.20653 10+
- ￥ 23.77975 100+
- ￥ 22.43372 500+
- ￥ 21.16389 1000+
- 型号： FDS6898AZ-F085
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOIC
- 描述： MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 30000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 26.71892
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：SOIC
- 引脚数：8
- 质量：230.4mg
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：34 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：900mW
- 终端形式：鸥翼
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：10 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：15ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：16 ns
- 连续放电电流(ID)：9.4A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.014Ohm
- 输入电容：1.821nF
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大rds：14 mΩ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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