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MOSFETs 晶体管阵列 / IRF5810TRPBF
- 价格 起订量
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- ￥ 0 10+
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- 型号： IRF5810TRPBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 描述： MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 引脚数：6
- 供应商器件包装：6-TSOP
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.9A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：62 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2003
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：2 (1 Year)
- 终端：SMD/SMT
- 电阻：90MOhm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：960mW
- 基本部件号：IRF5810PBF
- 元素配置：Dual
- 功率耗散：960mW
- 接通延迟时间：8.2 ns
- 功率 - 最大：960mW
- 场效应管类型：2 P-Channel (Dual)
- Rds On(Max)@Id,Vgs：90mOhm @ 2.9A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：650pF @ 16V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.6nC @ 4.5V
- 上升时间：14ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- 下降时间（典型值）：53 ns
- 连续放电电流(ID)：-2.9A
- 阈值电压：-1.2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 漏源击穿电压：-20V
- 双电源电压：-20V
- 输入电容：650pF
- 场效应管特性：逻辑电平门
- 漏源电阻：90mOhm
- 最大rds：90 mΩ
- 栅源电压：-1.2 V
- 高度：990.6μm
- 长度：3mm
- 宽度：1.4986mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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