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MOSFETs 晶体管阵列 / IRFI4019HG-117P
- 价格 起订量
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- 型号： IRFI4019HG-117P
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装： TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
- 描述： MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
- 库存地点： 内地
- 库存： 4100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)
- 引脚数：5
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：13 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2009
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：18W
- 端子位置：SINGLE
- 元素配置：Dual
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：18W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：2 N-Channel (Dual)
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：95m Ω @ 5.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：810pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：20nC @ 10V
- 上升时间：6.6ns
- 漏源电压 (Vdss)：150V
- 下降时间（典型值）：3.1 ns
- 连续放电电流(ID)：8.7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：150V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：34A
- 雪崩能量等级（Eas）：77 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：Standard
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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